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CES Asia 2025將展示半導體行業(yè)的“原子級制造、光電融合、量子突破”，揭示其如何從物理層面定義智能時代的可能性邊界。


原子層沉積（ALD）技術的極限突破


某企業(yè)實現(xiàn)單原子層精度的ALD技術量產(chǎn)，薄膜均勻性達99.99%，可制造1nm以下柵極氧化層。在3nm制程中應用后，晶體管漏電電流降低50%，驅(qū)動電流提升20%，使芯片能效比突破“登納德縮放”極限。該技術還用于量子芯片制造，使硅自旋量子比特的相干時間從1ms提升至10ms，為量子計算的實用化奠定基礎。


硅光互聯(lián)的產(chǎn)業(yè)化跨越


硅光芯片實現(xiàn)1.6Tbps單通道傳輸速率，功耗僅20fJ/bit，較電互聯(lián)降低90%。在數(shù)據(jù)中心應用中，CPU與GPU之間的通信延遲從100ns縮短至10ns，算力利用率提升35%。某AI服務器采用硅光互聯(lián)后，模型訓練速度提高40%，年耗電量減少200萬度。硅光技術還催生“光子神經(jīng)網(wǎng)絡”，在圖像識別任務中，推理速度達電子神經(jīng)網(wǎng)絡的3倍，能耗降低80%。


寬禁帶半導體的生態(tài)構建


碳化硅（SiC）功率器件形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，8英寸晶圓良率達96%，成本降至硅基器件的1.8倍。在新能源汽車中應用，可使OBC（車載充電機）體積縮小50%，快充效率提升30%。氮化鎵（GaN）射頻器件在6G太赫茲通信中實現(xiàn)100GHz頻段穩(wěn)定工作，信號覆蓋范圍較5G提升5倍。寬禁帶半導體的應用，使新能源汽車、6G通信等領域的能效水平提升一個數(shù)量級。


CES Asia 2025將證明，半導體行業(yè)的創(chuàng)新是“從原子到系統(tǒng)的全鏈條突破”——當材料科學家在埃米尺度操控物質(zhì)，當制造工程師在晶圓上雕刻電路，當設計專家在架構層面定義需求，智能時代的底層邏輯正在被重新書寫。                                                   負責人：王陽：13651258521（同微）免費熱線：4008-939-833